Dispositivo de potencia Fabricante, alta calidad Dispositivo de potencia

MOSFET de baja resistencia en estado activo para mejora y agotamiento de la antorcha

Descripción del Producto La serie MOSFET abarca rangos de tensión desde -100 V a 900 VFabricada utilizando tecnologías de proceso avanzadas, condiciones de fabricación optimizadas y estructuras de dispositivos refinadas, esta serie se actualiza y optimiza continuamente para un rendimiento superior. Incluye baja resistencia de encendido, rendimiento alto, alta eficiencia, rentabilidad, y excelente fiabilidad, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de energía, incluyendo interruptores de alimentación, rectificación síncrona, sistemas de gestión de baterías (BMS), accionamientos de motor, y controles de potencia industrial.

ETIQUETAS CALIENTES : MOSFET de antorcha MOSFET N y MOSFET P MOSFET d y MOSFET e MOSFET de mejora y MOSFET de agotamiento MOSFET de potencia MOSFET de canal N MOSFET de baja carga de puerta MOSFET de baja resistencia RDS(on) Dispositivo de conmutación MOSFET MOSFET para convertidor CC-CC MOSFET OEM Semiconductor MOSFET

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Dispositivo de conmutación de alto voltaje Torch MCT (tiristor controlado por MOS).

Descripción del ProductoEl MCT (XM30N18T2) es un accionado por voltaje, compacto, y interruptor de pulsos de estado sólido de alta potencia Diseñado para aplicaciones exigentes de potencia de pulso. Ofrece alta tensión de bloqueo, excelente capacidad de corriente de pulso directa e inversa, y control de conducción fácil, garantizando un funcionamiento fiable y eficiente. Gracias a su diseño robusto y su rendimiento superior, el XM30N18T2 es ideal para su uso en unidades de descarga de condensadores (CDU), Fuentes de alimentación de pulsos de alta potencia, y fusibles electrónicos.

ETIQUETAS CALIENTES : Antorcha MCT Tiristor MCT Tiristor controlado por MOS MCT de apagado rápido Dispositivo MCT de alto voltaje Interruptor de alimentación MCT MCT para inversor Semiconductores de potencia MCT tiristor OEM MCT Rectificador controlado Conmutación de potencia

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Transistor IGBT de alta corriente/conmutación rápida/bajas pérdidas de conmutación

Descripción general del producto Los IGBT son dispositivos semiconductores de potencia, controlados por voltaje y totalmente regulados, que combinan las estructuras de un BJT y un MOSFET. Presentan una alta impedancia de entrada y una baja caída de tensión en estado de conducción, lo que les confiere un excelente rendimiento y eficiencia de conmutación. Ampliamente utilizados en servomotores, convertidores de frecuencia, electrodomésticos de frecuencia variable, inversores fotovoltaicos, equipos de soldadura, sistemas UPS y cargadores integrados, los IGBT proporcionan soluciones de conversión de energía fiables para una amplia gama de aplicaciones. Nuestra cartera de productos IGBT abarca múltiples series con tensiones nominales desde 650 V a 1700 V y las calificaciones actuales de De 5A a 200ALa serie de alta eficiencia, desarrollada con Tecnología de parada de campo en zanjas, Proceso de obleas ultrafinas, y control de vida localizado, logra una mayor densidad de potencia, una tolerancia térmica mejorada, una eficiencia de conversión mejorada y una vida útil prolongada.

ETIQUETAS CALIENTES : Condensador IGBT de antorcha Transistor IGBT de 600 V IGBT de alta corriente IGBT de conmutación rápida IGBT para control de motores Interruptor de potencia IGBT IGBT OEM Dispositivo semiconductor IGBT IGBT de baja conmutación proveedores de IGBT control igbt fet igbt

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Condensador de antorcha de alto voltaje de 650 V a 1200 V con MOSFET de SiC para inversores industriales y vehículos eléctricos

Como producto de la serie MOSFET de SiC de tercera generación, cubre rangos de voltaje desde 650V hasta 1700V y se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación para servidores de alta gama, inversores fotovoltaicos, accionamientos de motores, fuentes de alimentación UPS y estaciones de carga para vehículos de nueva energía.

ETIQUETAS CALIENTES : Mosfet de silicio electrónico Torch óxido de puerta de MOSFET de silicio MOSFET de trinchera SIC microchip SIC MOSFET inversor MOSFET de SIC MOSFET de silicio de 1200 V MOSFET de SiC de baja resistencia RDS(on) Transistor FET de SiC de 1200 V Transistor de potencia de SiC Interruptor SiC de alta eficiencia MOSFET de SiC para inversor MOSFET de SiC

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